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FQB50N06LTM

FQB50N06LTM
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Número da peça FQB50N06LTM
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
In Stock 80370 pcs
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Número da peça FQB50N06LTM Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 80370 pcs Ficha de dados FQB50N06L, FQI50N06L
Categoria Produtos semicondutores discretos VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor D²PAK (TO-263AB) Série QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 21 mOhm @ 26.2A, 10V Dissipação de energia (Max) 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Embalagem Cut Tape (CT) Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes FQB50N06LTMFSCT Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 11 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 5V, 10V Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição detalhada N-Channel 60V 52.4A (Tc) 3.75W (Ta), 121W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 52.4A (Tc)

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